内存和硬盘的涨价预测主要发生在2025年10月下旬。 内存涨价预测全球三大内存制造商(三星、SK海力士、美光)在2025年10月中旬首次暂停了DDR5内存的合约报价,导致行业出现短暂“无价格可报”的局面。大约一周多后,这些厂商重新报价,并正式宣布2025年第四季度DRAM内存价格将大幅上调。
内存和硬盘的涨价趋势自2025年起已显现,并预计持续至2027-2028年。 当前涨价幅度2026年第一季度,一般型内存产品合约价季度增长55%-60%,闪存产品合约价上涨33%-38%。服务器用存储价格增长60%,移动存储产品供给紧缩,未来几个季度合约价格可能继续升高。
内存和硬盘涨价的关键时间主要集中在2024年第一季度至第二季度,以及特定市场活动前的囤货期。 近期明确的时间节点根据行业报告和市场价格走势,2024年第一季度末内存价格预计还将上涨40%至50%,部分国内模组厂的产品在1月已提价10%-15%。2024年第二季度预测价格会继续上涨约20%。
涨价原因需求端AI需求爆炸性增长:AI技术的快速发展使得对存储类产品的需求远超想象,且这种旺盛需求的持续性非常强,目前预测一年内都无法得到缓解。例如,固态硬盘部分,核心存储产品价格较年初已实现翻倍增长,有机构预测NAND全品类合约价将平均上涨5% - 10%,QLC SSD因适配AI场景涨幅将达30%。
026年存储涨价的核心原因是供需共振,即供给收缩叠加AI等需求爆发,同时产业链结构升级推动价格持续上行。供给端收缩是涨价基础 行业周期调整:过去两年存储行业下行周期中,三星、SK海力士等原厂普遍减产控产,产能释放节奏放缓,导致整体供给紧张。
存储“涨声”四起的核心原因是供需失衡,叠加AI需求驱动与市场心理共振,具体表现为库存低位、需求持续、产能约束及备货行为加剧等多重因素交织。
本轮内存、硬盘存储芯片涨价的主要原因是全球市场多重因素叠加共振,包括厂商产能转向高端芯片、行业周期性供需逆转以及市场需求旺盛等,预计涨价趋势还会持续一段时间。
026年硬盘涨价可通过以下策略应对,核心是结合供需趋势和自身需求理性决策明确涨价核心原因 AI需求驱动产能倾斜:头部厂商(三星、美光等)将产能向高利润的高端存储芯片(如AI服务器专用NAND/DRAM)转移,导致传统消费级硬盘(如机械硬盘、入门级SSD)产能收缩。
Counterpoint Research报告预计2026年第一季度存储价格将再涨40%-50%,第二季度预计再涨约20%。部分厂商表态缺货和涨价可能持续到2027年。 涨价原因本轮涨价主要受供需关系影响,包括产能调整、AI及高性能计算需求激增(如服务器、高端显卡对DDR5和HBM内存的需求),以及库存消耗后补货需求的释放。
1、026年很可能成为消费电子“最贵之年”。这一判断主要基于以下关键因素:存储芯片价格暴涨是核心驱动因素。存储芯片作为手机、电脑等消费电子产品的关键组件,其价格波动直接影响终端产品成本。自2025年9月以来,DRAM(内存)与NAND Flash(闪存)现货价格累计涨幅超过300%,且市场供需缺口短期内难以缓解。
2、是的,2026年很可能成为消费电子的最贵之年,存储芯片价格的大幅上涨已经引发了从手机到电脑等各类电子产品的普遍涨价潮,且短期内价格难有回落空间。目前消费电子市场已经出现了明显的价格上涨趋势。
3、026年很可能成为消费电子“最贵之年”。这一判断主要基于以下关键因素: 芯片成本飙升,存储芯片价格迅猛上涨存储芯片是消费电子产品的核心组件,其价格波动直接影响终端产品成本。自2025年9月以来,DRAM(内存)与NAND Flash(闪存)现货价格累计上涨超过300%,且市场缺口在短期内难以缓解。
4、是的,2026年可被视为消费电子“最贵之年”。2026年消费电子市场面临显著成本压力,终端产品价格普遍上涨。核心原因在于AI服务器对高带宽内存需求激增,三星、SK海力士等厂商将产能转向利润更高的HBM,使得消费级DRAM和NAND闪存供应紧张。
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